磁控濺射原理（lǐ）的原理是什麽？

　　電子在電場的作用下加速飛向基片（piàn）的過程中與氬原（yuán）子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基（jī）片。氬離子在電場的作用下加速轟擊（jī）靶材，濺射（shè）出（chū）大量的（de）靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上（shàng）成膜。二次（cì）電子在加速飛向基片的過程中受到磁（cí）場洛侖磁力的影響，被束縛在*近靶麵的等離子體區域內（nèi），該（gāi）區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶（bǎ）麵作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在（zài）運動過程中（zhōng）不斷的與氬（yà）原子發生碰撞電離出大量的氬離子（zǐ）轟擊靶材，經過多次碰撞後電子的能量逐漸降（jiàng）低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。
　　磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的（de）運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。
　　電（diàn）子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子（zǐ）歸宿。但一般基（jī）片與真空室及陽極在同（tóng）一電勢。磁場與電場的交互作用（E X B shift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶麵圓周運動。至（zhì）於靶麵圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關係。
　　在（zài）E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是（shì）電場方向，電壓電（diàn）流大小（xiǎo）而已。
　　標簽：中頻磁控濺射電源