什麽是離子源？它的應用又是什麽？

　　離子源：氣體放（fàng）電、電子（zǐ）束對氣體原子(或分子)的碰（pèng）撞，帶電粒子束使工作物質濺射以及表麵電離過程（chéng）都能產生離子，並被引出成束（shù）。根（gēn）據不同的使用條（tiáo）件和用途，已研製出多種類型的離子（zǐ）源。使用較廣泛的有弧（hú）放電離子源（yuán）、PIG離子源、雙等離子（zǐ）體離子源和雙彭源這些源都（dōu）是以氣體放電過程為基礎的,常被（bèi）籠統（tǒng）地稱為弧源。高頻（pín）離子源則是由氣體中的高頻放電來產生離子的，也有廣泛的用途。新型重離（lí）子源（yuán）的出現，使重離子的電荷態顯著提高,其（qí）中較成熟的有電子回旋共振離子源(ECR)和電子束離子源(EBIS)。負（fù）離子源性能較好的有轉荷型和濺射型兩種。在一定條件下，基於氣（qì）體放電過程的各種離子源，都能提供一定的負離（lí）子束流。
　　離子源是一門具（jù）有廣泛應用領域的學科，在許多基礎研究領域如原子物理、等（děng）離子化學、核物理等研究中，離子源都是十分重要不可缺少的設備。
　　離子源的應用編輯
　　① 離子摻雜與離子束改性
　　從20世紀60年代開始，人們將一定量（liàng）的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中，形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來控製；摻雜的濃（nóng）度可通過積分離子流強度來控製。離子注（zhù）入方法的重（chóng）複性、可靠性比擴散法好。離子注入摻雜在（zài）半（bàn）導體大規（guī）模集成電路的生產中已成為重要（yào）環節，用離子注入法取代舊的擴散等（děng）工（gōng）藝在有些器件中已成為必（bì）然趨勢。
　　離子注入在金屬材料的改性中獲得的結果十分引人注（zhù）目。在常用金屬的離子注入改性中，可以提高金屬的硬度、抗腐蝕性能和抗疲勞強度，降低金屬的磨損率。某些絕緣材料如陶器、玻璃、有（yǒu）機材料經離子束照射以後，性質發生重要的變化（huà），獲得新（xīn）的用途。
　　離子束照射和（hé）摻雜的過程是非熱平（píng）衡過程，因此用這（zhè）種方法可以獲得用一（yī）般冶金和化工方法無法得到的新材料（liào）。能量較低(50～400keV)的專門用於離子注入的小型加速器“離子注入機”，已成（chéng）為一種專門設備，體積相當於一（yī）台電子（zǐ）顯微（wēi）鏡或高壓示波器，使用維護都很方便。在類金剛石材（cái）料、高溫超導材料、磁性材料（liào）、感光材料等的研究中，已廣泛應用離子束，一門新（xīn）興的冶金學──“離子注入冶金學”正在形成。② 離子束分（fèn）析具有一定能量的（de）離子與物質相互作用（yòng）會使其發射電子、光子、X射線等，還可（kě）能發生彈性（xìng）散射、非彈性散射以及核反應，產生反彈離子、反衝核、γ 射（shè）線、氫核、氚核、粒子等核（hé）反應（yīng）產物，可以提供有關該物質的組分、結構和狀態等信息。利用這些信息來分析樣品統稱離（lí）子束分析。在離子束（shù）分析方法中，比較成熟的有背散射（shè）分析（xī）X射線熒光分析、核反應分析和溝道效應（見溝道效應和阻塞效應）與其他分析相（xiàng）結合的分析方法等。此外，利用低（dī）能離子束還可作表麵成分分析,如離（lí）子散射譜(ZSS)、次級離子質譜（pǔ）(SZMS)等。超（chāo）靈敏質譜（加速器質譜）、帶電粒子活化分析、離子激發光譜、離子激（jī）發俄（é）歇電子譜（pǔ）等正在發展中。用於離子束分析的MV級（jí）加速器已（yǐ）有專門的（de）商業化設備。
　　③ 離子束加工
　　較低（dī）能量（liàng）的（de）離子束廣泛用於工業（yè）加工，如離（lí）子（zǐ）減薄、離子拋光、離子束打孔（kǒng）、離子束刻（kè）蝕、離子束濺射金屬膜等。
　　標簽：離子源電源