真（zhēn）空鍍膜設備基本技術要求

      1、設備中的真空管（guǎn）道、靜態密封零（líng）部件（法蘭（lán）、密封圈（quān）等）的結構形式，應（yīng）符合GB/T6070的規定。

　　2、在低真空和高真空（kōng）管道上及真空鍍（dù）膜室上應安裝真空測量規管，分別測量各部位的真（zhēn）空度。當發現電場對測量造成幹擾時，應在測量口處安裝電場屏蔽裝（zhuāng）置。

　　3、如果（guǒ）設備使（shǐ）用的主泵為擴散泵時，應在泵的進氣口（kǒu）一側裝設有油蒸捕集阱。

　　4、設（shè）備（bèi）的鍍膜室（shì）應設有觀察窗，應設有擋板裝置。觀察窗應能觀察到（dào）沉積源的工作情況以及（jí）其他關鍵部位。

　　5、離子鍍沉積源（yuán）的設計應盡可能提高鍍膜過程中的離化率，提高（gāo）鍍膜材料的利用率，合理匹配沉積源的功率，合理布置沉積源在真空室體的位置。

　　6、合理布置加熱裝置，一般加熱器結構布局應使被（bèi）鍍工件溫升均勻一致。

　　7、工件架（jià）應與（yǔ）真空室體絕緣，工件架的設計應使工件膜層均勻。

　　8、離子鍍膜設備一般應具有工（gōng）件負偏壓和離（lí）子轟（hōng）擊電源，離子轟擊電源應（yīng）具有抑製非正常放電裝置，維持工作穩定。

　　9、真空室接（jiē）不同電（diàn）位的各部分間的絕緣電阻值的大小，均按GB/T11164-1999中的4.4.6

　　10、其他注意事項

　　1）環境溫度：10-30oC

　　2）相對濕度：不大於75%

　　3）冷（lěng）卻水進水溫度：不高於25oC

　　4）冷卻水質（zhì）：城市自來水或（huò）相當質量的水（shuǐ）。

　　5）供電電源：380V三相50Hz或220V單（dān）相50Hz(由所用電器需要而定)；電壓波（bō）動範圍：342-399V或198-231V；頻率波動範圍：49-51Hz。

　　6）設備所需的壓縮空氣，液氮（dàn），冷水、熱水等的壓力、溫度，消耗量等，均應在產品使用說明書中寫明。

　　7）設備周圍環境整潔，空氣清潔，不應有引起電（diàn）器及其他金屬件（jiàn）表麵（miàn）腐蝕或（huò）引起金屬間導電的塵埃或氣（qì）體存在。

　　標簽：真空鍍膜電（diàn）源