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電弧(hú)離子(zǐ)鍍的(de)原理是在冷陰極真空弧光放電的理論的基礎上(shàng)研究出來的(de)。而多弧離子鍍膜機的核心技術是它(tā)的電弧蒸發源,多弧離子鍍膜機的蒸發源是一種比較特殊的(de)冷陰極電弧放電的自蒸發、自電離式的一種固體型蒸發源。
相較於傳(chuán)統的蒸發源,多弧離子鍍(dù)膜機的電弧蒸發源的特(tè)點(diǎn)明顯:
鍍膜膜層致密(mì)度高,膜(mó)層壽命長、強度高;
作為固體型的電(diàn)弧蒸發源,可改變其形狀、大(dà)小及位置;
運行真空範圍大;
更高的離子能量;
可達60%-80%的高離化率;
高(gāo)沉積速率,如(rú)TiN,可做到100nm/s~1000nm/s的(de)高沉(chén)積速率。
多弧離(lí)子鍍(dù)膜機的電弧蒸發源原理是通過一個冷陰極自持電弧(hú)放電,是一種場致發射。蒸發源的典型的基本配置為:受鍍基材與陰極相接,陽極接真空室,待真空室抽到到高些的真空狀態、觸發電極啟動器接(jiē)觸打(dǎ)開,形成一個穩定的電弧放電於陽(yáng)極和陰極之間,而在陰極的表麵覆蓋有很多快速移動的陰極斑,斑(bān)直徑在1μm到兩(liǎng)微米之間,還有直徑約10μm的光斑,有每秒移動幾十米的速度(dù),電流之間密度為10 ? A/cm?-10 ? A/cm?,極間電壓也降低到20V-40V之間。於陰極斑的前(qián)麵是一些等離子體,電子(zǐ)飛速移至陽極,離(lí)子是處於一種(zhǒng)相對靜止在鍍膜空間中,陰極斑前方的正離子集合成正空間電荷,於陰極表麵附近形成10 ? v/cm?10 ? v/cm的高強度電場,用以克(kè)服在陰極的勢壘,以強電子發射來維持放電,但一些(xiē)離子因為被陰極轟擊(jī)而導致了陰極斑的局部快速蒸發、離化,從(cóng)而使陰極斑變為微點的蒸發(fā)源。在陰極靶(bǎ)的範圍內,由於絕緣屏蔽和磁場的作用而使這些微點蒸發源在該範圍內做無規則運動,也就(jiù)形成了均勻的大麵積蒸發源。
所謂多弧離子鍍膜機就是用多個電弧蒸發源為核心的一種離子鍍(dù)膜設備,通常又叫多弧鍍(dù)膜、弧鍍、電弧鍍膜等。相較於其他鍍膜工(gōng)藝(yì),它具備的特點有:
機械整體簡單、設備生產效率高、工作周期短、適合大批量(liàng)的工業化生產。
較(jiào)大的鍍膜空(kōng)間。 電(diàn)弧蒸發源為固態,可靈活放置,所以工件在(zài)裝卡更換時(shí)更(gèng)加簡(jiǎn)單,無需附加加熱器使用。
工藝範圍廣。適合在較高真空或較低環境溫度(200?C)下做(zuò)反應鍍、離子鍍。
具備優異的膜性能。工件的轟擊加熱、清潔和(hé)沉積交由離化金屬(shǔ)等離子體轟擊完成,實現(xiàn)“一弧三用(yòng)”,且膜層結構致密性高,膜層與鍍(dù)件牢固結合。
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