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通過加(jiā)熱蒸發某種物質使其沉積在固體表(biǎo)麵,稱為蒸發鍍膜。這種方法較早由M.法拉第於1857年(nián)提出(chū),現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術之一。
真空鍍膜電源:蒸發(fā)物質如金屬、化合(hé)物等置於(yú)坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源,待鍍工件,如金屬、陶瓷(cí)、塑料等基片置於坩堝前方(fāng)。待係統(tǒng)抽至高真空後,加(jiā)熱坩堝(guō)使其中的物(wù)質蒸發。蒸發物(wù)質的原子或分子(zǐ)以冷凝方(fāng)式沉積在基片(piàn)表麵。薄膜厚度(dù)可由數百(bǎi)埃至數微米。膜厚(hòu)決(jué)定於蒸發源的蒸發速率和時間(或決定於裝料量),並與源和基片的距離有關。對(duì)於大麵積鍍膜,常采(cǎi)用旋轉基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小於蒸(zhēng)氣分子在(zài)殘餘氣體中的平均自。
標(biāo)簽:真空鍍膜電源
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